Description des travaux de l’équipe :

Notre équipe de recherche travaille sur le développement de matériaux semi-conducteurs à bandes interdites larges et réduites à travers l’utilisation de processus de dopage anionique et cationique. Le but étant l’obtention de collecteurs photoniques et de transporteurs d’électron à haut rendement. L’ensemble s’inscrivant dans une perspective d’exploitation du spectre d’émission solaire à 95% (fraction visible) pour des applications photo catalytiques. Les semi-conducteurs concernés sont de type AO et BC2O4 ou les atomes A, B et C sont des métaux de transition. Lors des processus de dopage des métaux en faible quantité sont introduits dans la structure cristalline de base. Ces derniers sont généralement de valence supérieure ou inferieure, afin de générer des porteurs de charges. Cette configuration s’inscrit dans la production de semi-conducteur de type n et p. Pour le dopage anionique, des non-métaux sont utilisés pour la modification de la structure de bande énergétique, ce qui vise à améliorer la mobilité des porteurs de charges. D’autres effets, notamment la modification de la conductivité et du gap-optique peuvent être observés. En ce qui concerne les solutions solides, la stratégie consiste à introduire des métaux de valence similaire en substitution d’atomes existants dans la structure, afin d’induire une mobilité des bandes.